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厂商型号

APTC60AM45B1G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 600V 49A 11-Pin Case SP-1

内部编号

253-APTC60AM45B1G

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:5
1+¥504.317
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APTC60AM45B1G产品详细规格

规格书 APTC60AM45B1G datasheet 规格书
APTC60AM45B1G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1
FET 型 -
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 49A
Rds(最大)@ ID,VGS 45 mOhm @ 24.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.9V @ 3mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 150nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 7200pF @ 25V
功率 - 最大 250W
安装类型 *
包/盒 *
供应商器件封装 *
包装材料 *
包装 11Case SP-1
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 600 V
最大连续漏极电流 49 A
RDS -于 45@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 21 ns
典型上升时间 30 ns
典型关闭延迟时间 100 ns
典型下降时间 45 ns
工作温度 -40 to 150 °C
安装 Screw
标准包装 Bulk
FET特点 Standard
封装 Bulk
安装类型 Chassis Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 49A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3.9V @ 3mA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
供应商设备封装 SP1
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 45 mOhm @ 24.5A, 10V
功率 - 最大 250W
输入电容(Ciss ) @ VDS 7200pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 150nC @ 10V
封装/外壳 SP1
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
品牌 Microsemi
RoHS RoHS Compliant

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