规格书 |
APT84F50B2,50L |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 25 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 84A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 65 mOhm @ 42A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 2.5mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 340nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 13500pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1135W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-264-3, TO-264AA |
供应商器件封装 | TO-264 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-264 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 500 V |
最大连续漏极电流 | 84 A |
RDS -于 | 65@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 60 ns |
典型上升时间 | 70 ns |
典型关闭延迟时间 | 155 ns |
典型下降时间 | 50 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 84A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 2.5mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
供应商设备封装 | TO-264 [L] |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 65 mOhm @ 42A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1135W |
封装/外壳 | TO-264-3, TO-264AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 13500pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 340nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 26 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
Qg - Gate Charge | 340 nC |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
下降时间 | 50 ns |
品牌 | Microsemi |
通道数 | 1 Channel |
配置 | 1 N-Channel |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
正向跨导 - 闵 | 65 S |
Id - Continuous Drain Current | 84 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 55 mOhms |
RoHS | RoHS Compliant |
安装风格 | Through Hole |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 1.135 kW |
上升时间 | 70 ns |
技术 | Si |
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