APT68GA60B

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 121A 3-Pin(3+Tab) TO-247

内部编号

生产厂商

数量:30

最小起订量:1
美国加州
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数量:24

最小起订量:1
美国费城
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规格书	APT68GA60B,60S
标准包装	30
IGBT 型	PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	600V
蒸气云爆炸（上）（最大值）”的发展，集成电路	2.5V @ 15V, 40A
集电极电流（Ic）（最大）	121A
当前 - Collector Pulsed (Icm)	202A
功率 - 最大	520W
Switching 能源	715µJ (on), 607µJ (off)
输入型	Standard
栅极电荷	298nC
Td（开/关）@ 25°C	21ns/133ns
测试条件	400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）	-
包装材料	Tube
包/盒	TO-247-3
安装类型	Through Hole
供应商器件封装	TO-247 [B]
动态目录	Standard IGBTs###/catalog/en/partgroup/standard-igbts/17451?mpart=APT68GA60B&vendor=691&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
包装	3TO-247
配置	Single
最大集电极发射极电压	600 V
最大连续集电极电流	121 A
最大栅极发射极电压	±30 V
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
栅极电荷	298nC
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	121A
安装类型	Through Hole
开关能量	715µJ (on), 607µJ (off)
时间Td（开/关） @ 25°C	21ns/133ns
Vce（开）（最大值） Vge，Ic时	2.5V @ 15V, 40A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	600V
供应商设备封装	TO-247 [B]
封装	Tube
功率 - 最大	520W
输入类型	Standard
封装/外壳	TO-247-3
IGBT类型	PT
测试条件	400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲（ ICM ）	202A
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	1
品牌	Microsemi
RoHS	RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
APT68GA60B2D40	microsemi	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI
APT68GA60LD40	microsemi	Trans IGBT Chip N-CH 600V 121A 3-Pin(3+Tab) TO-264

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