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厂商型号

APT6029BLLG 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247

内部编号

253-APT6029BLLG

生产厂商

microsemi

Microsemi Power Products Group

#1

数量:8
1+¥90.125
10+¥81.956
100+¥69.661
250+¥61.466
500+¥59.417
1000+¥54.5
2500+¥52.246
5000+¥50.812
10000+¥49.173
最小起订量:250
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:56
1+¥73.225
最小起订金额:¥3000
马来西亚吉隆坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:756
1+¥67.706
10+¥63.106
50+¥59.872
100+¥56.71
最小起订金额:¥3000
美国纽约
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

APT6029BLLG产品详细规格

规格书 APT6029BLLG datasheet 规格书
APT6029BLLG datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 21A
Rds(最大)@ ID,VGS 290 mOhm @ 10.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 65nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2615pF @ 25V
功率 - 最大 300W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247 [B]
包装材料 Tube
包装 3TO-247
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 600 V
最大连续漏极电流 21 A
RDS -于 290@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 9 ns
典型上升时间 5 ns
典型关闭延迟时间 23 ns
典型下降时间 4 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-247
最低工作温度 -55
渠道类型 N
最大漏源电阻 290@10V
最大漏源电压 600
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-247
最大功率耗散 300000
最大连续漏极电流 21
引脚数 3
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 21A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
供应商设备封装 TO-247 [B]
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 290 mOhm @ 10.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 300W
封装/外壳 TO-247-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 2615pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 65nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
连续漏极电流 21 A
栅源电压(最大值) �30 V
功率耗散 300 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-247
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 600 V
弧度硬化 No

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