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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

APT50GT60BRDQ2G 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247

内部编号

253-APT50GT60BRDQ2G

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:154
1+¥57.2315
10+¥51.4879
25+¥46.9066
50+¥43.6929
100+¥42.3254
250+¥38.633
500+¥35.2825
1000+¥29.8124
2500+¥28.3081
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:90
1+¥62.6555
10+¥56.3899
25+¥51.3761
100+¥46.3629
250+¥42.604
500+¥38.8447
1000+¥33.8325
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:5380
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

APT50GT60BRDQ2G产品详细规格

规格书 APT50GT60BRDQ2G datasheet 规格书
APT50GT60BRDQ2G datasheet 规格书
Power Products Catalog
APT50GT60BRDQ2G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
IGBT 型 NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A
- 集电极电流(Ic)(最大) 110A
功率 - 最大 446W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247 [B]
包装材料 Tube
包装 3TO-247
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 110 A
最大栅极发射极电压 ±30 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 TO-247
最大栅极发射极电压 ±30
最大连续集电极电流 110
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-247
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 446000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 240nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 110A
安装类型 Through Hole
开关能量 995µJ (on), 1070µJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 14ns/240ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.5V @ 15V, 50A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-247 [B]
反向恢复时间(trr ) 22ns
封装 Tube
功率 - 最大 446W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
IGBT类型 NPT
测试条件 400V, 50A, 5 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 150A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流(DC ) 110 A
集电极 - 发射极电压 600 V
包装类型 TO-247
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
Gate to Emitter Voltage (Max) �30 V
弧度硬化 No
工厂包装数量 75
栅极 - 射极漏泄电流 120 nA
连续集电极电流Ic最大 110 A
宽度 16.26 mm
安装风格 Through Hole
连续集电极电流在25 C 110 A
品牌 Microsemi
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
商品名 Thunderbolt IGBT
最高工作温度 + 150 C
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
长度 21.46 mm
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 110 A
集电极 - 发射极饱和电压 2 V
身高 5.31 mm
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 446 W
技术 Si

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