1. APT50GP60B2DQ2G
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厂商型号

APT50GP60B2DQ2G 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 3-Pin(3+Tab) T-MAX

内部编号

253-APT50GP60B2DQ2G

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:3
1+¥108.7878
10+¥98.8731
25+¥91.42
50+¥86.4969
100+¥83.4199
250+¥76.172
500+¥71.3172
1000+¥63.5906
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:10
1+¥119.0244
10+¥108.1767
25+¥100.0615
100+¥91.9484
250+¥83.8351
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

APT50GP60B2DQ2G产品详细规格

规格书 APT50GP60B2DQ2G datasheet 规格书
APT50GP60B2DQ2G datasheet 规格书
APT50GP60B2DQ2(G)
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
IGBT 型 PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A
- 集电极电流(Ic)(最大) 150A
功率 - 最大 625W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3 Variant
供应商器件封装 T-MAX™ [B2]
包装材料 Tube
包装 3T-MAX
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 150 A
最大栅极发射极电压 ±30 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 T-MAX
最大栅极发射极电压 ±30
最大连续集电极电流 150
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 625000
最低工作温度 -55
引脚数 3
栅极电荷 165nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 150A
安装类型 Through Hole
开关能量 465µJ (on), 635µJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 19ns/85ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.7V @ 15V, 50A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 *
封装 Tube
功率 - 最大 625W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3 Variant
IGBT类型 PT
测试条件 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 190A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 150 A
集电极 - 发射极电压 600 V
包装类型 T-MAX
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
Gate to Emitter Voltage (Max) �30 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 150 A
工厂包装数量 35
品牌 Microsemi
RoHS RoHS Compliant

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