规格书 |
![]() ![]() APT47F60J |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 10 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 600V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 49A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 90 mOhm @ 33A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 2.5mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 330nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 13190pF @ 25V |
功率 - 最大 | 540W |
安装类型 | Chassis Mount |
包/盒 | SOT-227-4, miniBLOC |
供应商器件封装 | SOT-227 |
包装材料 | Tube |
包装 | 4SOT-227 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 600 V |
最大连续漏极电流 | 49 A |
RDS -于 | 90@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 75 ns |
典型上升时间 | 85 ns |
典型关闭延迟时间 | 225 ns |
典型下降时间 | 70 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Screw |
标准包装 | Rail / Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Chassis Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 49A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 2.5mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
供应商设备封装 | ISOTOP® |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 90 mOhm @ 33A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 540W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 13190pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 330nC @ 10V |
封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 15 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
Qg - Gate Charge | 330 nC |
封装/外壳 | SOT-227-4 |
下降时间 | 70 ns |
品牌 | Microsemi |
通道数 | 1 Channel |
配置 | 1 N-Channel |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
正向跨导 - 闵 | 65 S |
Id - Continuous Drain Current | 49 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 75 mOhms |
RoHS | RoHS Compliant |
安装风格 | Screw Mount |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 540 W |
上升时间 | 85 ns |
技术 | Si |
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