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厂商型号

APT22F100J 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 1KV 23A 4-Pin SOT-227

内部编号

253-APT22F100J

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:6
1+¥240.4819
5+¥229.6783
10+¥222.4988
25+¥204.4472
50+¥198.2933
100+¥188.9257
250+¥173.6092
500+¥159.8654
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:10
最小起订量:1
美国费城
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APT22F100J产品详细规格

规格书 APT22F100J datasheet 规格书
APT22F100J datasheet 规格书
Power Products Catalog
APT22F100J
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 1000V (1kV)
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 23A
Rds(最大)@ ID,VGS 380 mOhm @ 18A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id -
栅极电荷(Qg)@ VGS 305nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 9835pF @ 25V
功率 - 最大 545W
安装类型 Chassis Mount
包/盒 SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装 ISOTOP®
包装材料 Tube
包装 4SOT-227
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 1000 V
最大连续漏极电流 23 A
RDS -于 380@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 44 ns
典型上升时间 40 ns
典型关闭延迟时间 150 ns
典型下降时间 38 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Screw
标准包装 Rail / Tube
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Chassis Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 23A
漏极至源极电压(Vdss) 1000V (1kV)
供应商设备封装 ISOTOP®
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 380 mOhm @ 18A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 545W
输入电容(Ciss ) @ VDS 9835pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 305nC @ 10V
封装/外壳 SOT-227-4, miniBLOC
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
品牌 Microsemi
RoHS RoHS Compliant

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