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厂商型号

APT13GP120BG 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247

内部编号

253-APT13GP120BG

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:81
1+¥52.787
10+¥47.522
25+¥43.2826
100+¥39.0433
250+¥35.6244
500+¥32.5475
1000+¥28.3765
2500+¥26.0516
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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APT13GP120BG产品详细规格

规格书 APT13GP120BG datasheet 规格书
APT13GP120BG datasheet 规格书
APT13GP120B,S(G)
标准包装 30
IGBT 型 PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 3.9V @ 15V, 13A
集电极电流(Ic)(最大) 41A
当前 - Collector Pulsed (Icm) 50A
功率 - 最大 250W
Switching 能源 115µJ (on), 165µJ (off)
输入 型 Standard
栅极电荷 55nC
Td(开/关)@ 25°C 9ns/28ns
测试条件 600V, 13A, 5 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr) -
包装材料 Tube
包/盒 TO-247-3
安装类型 Through Hole
供应商器件封装 TO-247 [B]
包装 3TO-247
配置 Single
最大集电极发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 41 A
最大栅极发射极电压 ±30 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
栅极电荷 55nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 41A
安装类型 Through Hole
开关能量 115µJ (on), 165µJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 9ns/28ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 3.9V @ 15V, 13A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 TO-247 [B]
封装 Tube
功率 - 最大 250W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
IGBT类型 PT
测试条件 600V, 13A, 5 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 50A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 81
品牌 Microsemi
RoHS RoHS Compliant

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