APT12F60K

产品描述

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220

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规格书	Power Products Catalog APT12F60K
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	50
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	600V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	12A
Rds（最大）@ ID，VGS	620 mOhm @ 6A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	5V @ 500µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	55nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	2200pF @ 25V
功率 - 最大	225W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220 [K]
包装材料	Tube
包装	3TO-220
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	600 V
最大连续漏极电流	12 A
RDS -于	620@10V mOhm
最大门源电压	±30 V
典型导通延迟时间	12 ns
典型上升时间	14 ns
典型关闭延迟时间	37 ns
典型下降时间	11 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	12A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	5V @ 500µA
封装/外壳	TO-220-3
供应商设备封装	TO-220 [K]
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	620 mOhm @ 6A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	225W
漏极至源极电压（Vdss）	600V
输入电容（Ciss ） @ VDS	2200pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	55nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
APT12GT60BRG	microsemi	Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247
APT12GT60KRG	microsemi	Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220
APT12M80B	microsemi	Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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