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| 规格书 |
 Power Products Catalog APT11N80KC3 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 800V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.9V @ 680µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 60nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1585pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 156W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 [K] |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 800 V |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| RDS -于 | 450@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 25 ns |
| 典型上升时间 | 15 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 典型下降时间 | 7 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 450@10V |
| 最大漏源电压 | 800 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220AC |
| 最大功率耗散 | 156000 |
| 最大连续漏极电流 | 11 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.9V @ 680µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 800V |
| 供应商设备封装 | TO-220 [K] |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 156W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1585pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 60nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏极电流（最大值） | 11 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 156 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.45 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 800 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 11 A |
| 删除 | Compliant |
| 包装类型 | TO-220AC |
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