图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 75A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 25 mOhm @ 500mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 225nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 5160pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 [B] |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-247 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 75 A |
| RDS -于 | 25@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 典型上升时间 | 22 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 典型下降时间 | 10 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 包装宽度 | 5.31(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 300000 |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 25@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-247 |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 16.26(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 21.46(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 75 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 连续漏极电流 | 75 A |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 功率耗散 | 300 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-247 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 弧度硬化 | No |
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