规格书 |
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Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 10 |
IGBT 型 | NPT |
配置 | Single |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 1200V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 100A |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 123A |
电流 - 集电极截止(最大) | 200µA |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 7.85nF @ 25V |
功率 - 最大 | 570W |
输入 | Standard |
NTC Thermistor | No |
安装类型 | Chassis Mount |
包/盒 | ISOTOP |
供应商器件封装 | ISOTOP® |
包装 | 4SOT-227 |
配置 | Single |
最大集电极发射极电压 | 1200 V |
最大连续集电极电流 | 123 A |
最大栅极发射极电压 | ±20 V |
安装 | Screw |
标准包装 | Rail / Tube |
供应商封装形式 | SOT-227 |
最大栅极发射极电压 | ±20 |
最大连续集电极电流 | 123 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | SOT-227 |
渠道类型 | N |
最大集电极发射极电压 | 1200 |
最大功率耗散 | 570000 |
最低工作温度 | -55 |
引脚数 | 4 |
铅形状 | Screw |
输入电容(Cies ) @ Vce时 | 7.85nF @ 25V |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 123A |
IGBT类型 | NPT |
安装类型 | Chassis Mount |
电流 - 集电极截止(最大) | 200µA |
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 | 3.7V @ 15V, 100A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 1200V |
供应商设备封装 | ISOTOP® |
功率 - 最大 | 570W |
封装/外壳 | ISOTOP |
输入 | Standard |
NTC热敏电阻 | No |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
栅极 - 射极漏泄电流 | 600 nA |
连续集电极电流在25 C | 123 A |
安装风格 | SMD/SMT |
品牌 | Microsemi |
产品 | IGBT Silicon Carbide Modules |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
封装 | Bulk |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 570 W |
集电极 - 发射极饱和电压 | 3.2 V |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
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