#1 |
数量:9 |
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最小起订金额:¥3000 美国纽约 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:8 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:10 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
Power Products Catalog |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 10 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 1000V (1kV) |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 25A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 350 mOhm @ 14A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 2.5mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 186nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 5185pF @ 25V |
功率 - 最大 | 520W |
安装类型 | Chassis Mount |
包/盒 | SOT-227-4, miniBLOC |
供应商器件封装 | ISOTOP® |
包装材料 | Tube |
包装 | 4SOT-227 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 1000 V |
最大连续漏极电流 | 25 A |
RDS -于 | 350@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 12 ns |
典型上升时间 | 10 ns |
典型关闭延迟时间 | 36 ns |
典型下降时间 | 9 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Screw |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | SOT-227 |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 350@10V |
最大漏源电压 | 1000 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | SOT-227 |
最大功率耗散 | 520000 |
最大连续漏极电流 | 25 |
引脚数 | 4 |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Chassis Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 25A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 2.5mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 1000V (1kV) |
供应商设备封装 | ISOTOP® |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 350 mOhm @ 14A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 520W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 5185pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 186nC @ 10V |
封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 1 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
宽度 | 25.2 mm |
Qg - Gate Charge | 186 nC |
封装/外壳 | SOT-227-4 |
类型 | Power MOSFET |
下降时间 | 9 ns |
产品 | MOSFET |
品牌 | Microsemi |
通道数 | 1 Channel |
配置 | 1 N-Channel |
最高工作温度 | + 150 C |
Id - Continuous Drain Current | 25 A |
长度 | 38 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 350 mOhms |
RoHS | RoHS Compliant |
身高 | 8.9 mm |
安装风格 | Screw Mount |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 520 W |
上升时间 | 10 ns |
技术 | Si |
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