APT22F120B2

产品描述

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 23A 3-Pin(3+Tab) T-MAX

内部编号

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数量:7

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规格书	Power Products Catalog APT22F120(B2,L)
标准包装	30
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	1200V (1.2kV)
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	23A
Rds（最大）@ ID，VGS	700 mOhm @ 12A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	5V @ 2.5mA
栅极电荷（Qg）@ VGS	260nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	8370pF @ 25V
功率 - 最大	1040W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-247-3 Variant
供应商器件封装	T-MAX™ [B2]
包装材料	Tube
动态目录	N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16403?mpart=APT22F120B2&vendor=691&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
包装	3T-MAX
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	1200 V
最大连续漏极电流	23 A
RDS -于	700@10V mOhm
最大门源电压	±30 V
典型导通延迟时间	45 ns
典型上升时间	27 ns
典型关闭延迟时间	145 ns
典型下降时间	42 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	23A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	5V @ 2.5mA
漏极至源极电压（Vdss）	1200V (1.2kV)
供应商设备封装	T-MAX™ [B2]
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	700 mOhm @ 12A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	1040W
封装/外壳	TO-247-3 Variant
输入电容（Ciss ） @ VDS	8370pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	260nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
品牌	Microsemi
RoHS	RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
APT22F120L	microsemi	Trans MOSFET N-CH 1.2KV 23A 3-Pin(3+Tab) TO-264
APT22F100J	microsemi	Trans MOSFET N-CH 1KV 23A 4-Pin SOT-227
APT22F80B	microsemi	Trans MOSFET N-CH 800V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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