2N6849U

产品描述

Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 18-Pin LCC

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规格书	2N6849U
包装	18LCC
渠道类型	P
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	100 V
最大连续漏极电流	6.5 A
RDS -于	540@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	60(Max) ns
典型关闭延迟时间	140(Max) ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Bulk
系列	*
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant
FET特点	Standard
封装	*
安装类型	*
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 250µA
封装/外壳	*
供应商设备封装	*
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	300 mOhm @ 4.1A, 10V
FET型	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	800mW
漏极至源极电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	6.5A (Tc)
闸电荷（Qg ） @ VGS	34.8nC @ 10V

型号	厂家	产品描述
2N6849UJAN	microsemi	Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 18-Pin LCC
2N6849UJANTX	international rectifier	Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 18-Pin LLCC
2N6849UJANTX	microsemi	Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 18-Pin LCC
2N6849UJANTXV	international rectifier	Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 18-Pin LLCC
2N6849UJANTXV	microsemi	Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 18-Pin LCC
2N6849	international rectifier	Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3-Pin TO-39
2N6849	microsemi	Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3-Pin TO-39
2N6849	rochester electronics	HEXFET, HI-REL
2N6849JAN	microsemi	Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3-Pin TO-39
2N6849JANTX	international rectifier	Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3-Pin TO-39
2N6849JANTX	microsemi	Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3-Pin TO-39
2N6849JANTXV	international rectifier	Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
2N6849JANTXV	microsemi	Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3-Pin TO-39
2N6849JANTXV	Semicoa Semiconductors

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