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规格书 |
2N6796,98U, 6800,02U |
包装 | 18LCC |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 500 V |
最大连续漏极电流 | 2.5 A |
RDS -于 | 1600@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 30 ns |
典型关闭延迟时间 | 55 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Bulk |
FET特点 | Standard |
封装 | * |
安装类型 | * |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 2.5A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
封装/外壳 | * |
供应商设备封装 | * |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 800mW |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 4.46nC @ 10V |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 2.5A (Tc) |
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