规格书 |
![]() ![]() 2N6796,98, 6800,02 |
包装 | 3TO-205AF |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 400 V |
最大连续漏极电流 | 3 A |
RDS -于 | 1100@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 30(Max) ns |
典型上升时间 | 35(Max) ns |
典型关闭延迟时间 | 55(Max) ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Bulk |
FET特点 | Standard |
封装 | Bulk |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 3A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-205AF |
供应商设备封装 | TO-39 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1 Ohm @ 2A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 800mW |
漏极至源极电压(Vdss) | 400V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 5.75nC @ 10V |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 3A (Tc) |
工厂包装数量 | 100 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
Qg - Gate Charge | 34.75 nC |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
下降时间 | 35 ns |
品牌 | Microsemi |
通道数 | 1 Channel |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 3 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.1 Ohms |
RoHS | No |
安装风格 | Through Hole |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 25 W |
上升时间 | 35 ns |
技术 | Si |
2N6800也可以通过以下分类找到
咨询QQ
热线电话