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厂商型号

2N6800 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin TO-205AF

内部编号

253-2N6800

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:18
1+¥118.976
10+¥108.1724
25+¥100.0356
50+¥94.6338
100+¥91.2833
250+¥83.3516
500+¥78.0182
1000+¥69.6078
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

2N6800产品详细规格

规格书 2N6800 datasheet 规格书
2N6800 datasheet 规格书
2N6796,98, 6800,02
包装 3TO-205AF
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 400 V
最大连续漏极电流 3 A
RDS -于 1100@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 30(Max) ns
典型上升时间 35(Max) ns
典型关闭延迟时间 55(Max) ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
FET特点 Standard
封装 Bulk
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
封装/外壳 TO-205AF
供应商设备封装 TO-39
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1 Ohm @ 2A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 800mW
漏极至源极电压(Vdss) 400V
闸电荷(Qg ) @ VGS 5.75nC @ 10V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3A (Tc)
工厂包装数量 100
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 400 V
晶体管极性 N-Channel
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Qg - Gate Charge 34.75 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
下降时间 35 ns
品牌 Microsemi
通道数 1 Channel
最高工作温度 + 150 C
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 3 A
Rds On - Drain-Source Resistance 1.1 Ohms
RoHS No
安装风格 Through Hole
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 25 W
上升时间 35 ns
技术 Si

2N6800系列产品

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