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| 规格书 |
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| 包装 | 3TO-39 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 A |
| RDS -于 | 1080@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 15(Max) ns |
| 典型关闭延迟时间 | 25(Max) ns |
| 典型下降时间 | 20(Max) ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 系列 | * |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Through Hole |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-205AF |
| 供应商设备封装 | TO-39 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 600 mOhm @ 2.25A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 800W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.5A (Tc) |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8.1nC @ 10V |
| 系列 | * |
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