2N3866

产品描述

Trans GP BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin TO-39

内部编号

生产厂商

数量:31

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规格书
包装	3TO-39
类型	NPN
引脚数	3
最大集电极发射极电压	30 V
集电极最大直流电流	0.4 A
最小直流电流增益	15@0.1mA@5V\|5@360mA@5V
最大工作频率	800(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压	1@20mA@100mA V
最大集电极基极电压	60 V
工作温度	-65 to 200 °C
最大功率耗散	1000 mW
安装	Through Hole
标准包装	Bulk
系列	*
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant
集电极电流（ DC）（最大值）	0.4 A
集电极 - 基极电压	60 V
集电极 - 发射极电压	30 V
发射极 - 基极电压	3.5 V
频率	800 MHz
功率耗散	1 W
工作温度范围	-65C to 200C
包装类型	TO-39
元件数	1
直流电流增益（最小值）	15
工作温度分类	Military
弧度硬化	No
晶体管极性	NPN
集电极电流（DC ）	0.4 A
直流电流增益	15
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	400mA
晶体管类型	NPN
安装类型	Through Hole
频率 - 转换	400MHz
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	30V
供应商设备封装	TO-39
封装	Bulk
功率 - 最大	1W
封装/外壳	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	15 @ 50mA, 5V
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	*
电流 - 集电极截止（最大）	*
其他名称	2N3866MS
频率 - 跃迁	400MHz
晶体管类型	NPN
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	15 @ 50mA, 5V
功率 - 最大值	1W
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	400mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	30V
安装风格	Through Hole
RoHS	No

型号	厂家	产品描述
2N3866 LEADFREE	Central Semiconductor	Transistors Bipolar - BJT NPN VHF/UHF AM
2N3866A	microsemi	Trans GP BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin TO-39
2N3866AJAN	Semicoa Semiconductors	Trans GP BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin TO-39
2N3866AJANS	Semicoa Semiconductors
2N3866AUB	microsemi	Trans GP BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin UB
2N3866AUBJAN	microsemi	Trans GP BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin UB
2N3866AUBJANTX	microsemi	Trans GP BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin UB
2N3866AUBJANTXV	microsemi	Trans GP BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin UB

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