图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 包装 | 3TO-39 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.2 A |
| 最小直流电流增益 | 80@0.1mA@1V|90@1mA@1V|100@10mA@1V|30@50mA@1V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.25@1mA@10mA|0.5@5mA@50mA V |
| 工作温度 | -65 to 200 °C |
| 最大功率耗散 | 360 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | * |
| 晶体管类型 | * |
| 安装类型 | * |
| 频率 - 转换 | * |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | * |
| 电流 - 集电极截止（最大） | * |
| 系列 | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | * |
| 供应商设备封装 | * |
| 封装 | * |
| 功率 - 最大 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | * |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 250 mVDC |
| 晶体管极性 | PNP |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 品牌 | Microsemi |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| Pd - Power Dissipation | 360 mW |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 200 C |
| RoHS | No |
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