图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:100 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:307 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:2532 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| 包装 | 3UB |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 A |
| 最小直流电流增益 | 75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4@15mA@150mA|1.6@50mA@500mA V |
| 工作温度 | -65 to 200 °C |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | DIE |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 标准包装名称 | SMD |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 500 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| 供应商封装形式 | UB |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 600mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | * |
| 频率 - 转换 | * |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10µA (ICBO) |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | * |
| 封装 | * |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 封装/外壳 | * |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 150mA, 10V |
| 其他名称 | 2N2907AUBMS |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 工厂包装数量 | 1 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.6 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 450 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 50 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 200 C |
| 品牌 | Microsemi |
| RoHS | No |
| 连续集电极电流 | 600 mA |
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