1N823

产品描述

Diode Zener Single 6.2V 5% 500mW 2-Pin DO-35

内部编号

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数量:471

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美国费城
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规格书	1N82x(-1)(A) 1N82x(-1)(A) DO-7
包装	2DO-35
配置	Single
标称齐纳电压	6.2 V
类型	Temperature Compensated
齐纳电压容差	5 %
最大功率耗散	500 mW
最大反向漏泄电流	2 uA
典型电压温度系数	0.005(Max) %/°C
工作温度	-65 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Bulk
供应商封装形式	DO-35
标准包装名称	DO-204-AH
标称齐纳电压	6.2
最高工作温度	175
最大齐纳阻抗	15
最大反向漏泄电流	2
Package Diameter	2.29(Max)
ESD保护	No
最大电压调节	48
最大功率耗散	500
PCB	2
包装长度	5.08(Max)
最低工作温度	-65
测试电流	7.5
引脚数	2
铅形状	Through Hole
电流 - Vr时反向漏电	2µA @ 3V
电压 - 齐纳（额定值）（Vz ）	6.2V
供应商设备封装	DO-7
封装	Bulk
功率 - 最大	500mW
阻抗（最大值）（Zzt ）	15 Ohm
安装类型	Through Hole
容差	±5%
封装/外壳	DO-204AA, DO-7, Axial
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant
工作温度范围	-65C to 175C
包装类型	DO-35
冯页次	0.002 mA
元件数	Single
工作温度分类	Military
弧度硬化	No
拐点阻抗	15Ohm
功率耗散	500mW
齐纳电压（典型值）	6.2V
电压容差	5%
齐纳测试电流	7.5mA
齐纳电压	6.2V
删除	Not Compliant
封装/外壳	DO-204AA, DO-7, Axial
直径	2.29 mm
产品	Zener Diode
齐纳电流	2 uA
工厂包装数量	1
Ir - Reverse Current	2 uA
品牌	Microsemi
Zz - Zener Impedance	15 Ohms
电压温度系数	0.005 %/C
安装风格	Through Hole
长度	5.08 mm
最低工作温度	- 55 C
Pd - Power Dissipation	500 mW
最高工作温度	+ 175 C
RoHS	No
Vz - Zener Voltage	6.5 V

型号	厂家	产品描述
1N823 (DO35)JAN	microsemi	1N823 (DO35)JAN
1N823A	microsemi	Diode Zener Single 6.2V 5% 500mW 2-Pin DO-7
1N823A (DO-35)	Microsemi	Diode Zener Single 6.2V 5% 500mW 2-Pin DO-7
1N823AUR-1	microsemi	Diode Zener Single 6.2V 5% 500mW 2-Pin DO-213AA
1N823UR-1	microsemi	Diode Zener Single 6.2V 5% 500mW 2-Pin DO-213AA
1N823UR-1JAN	microsemi	Diode Zener Single 6.2V 5% 500mW 2-Pin DO-213AA
1N823UR-1JANTX	microsemi	Diode Zener Single 6.2V 5% 500mW 2-Pin DO-213AA
1N823UR-1JANTXV	microsemi	Diode Zener Single 6.2V 5% 500mW 2-Pin DO-213AA

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