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厂商型号

1N5615US 

产品描述

Diode Switching 200V 1A 2-Pin A-MELF

内部编号

253-1N5615US

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:200
1+¥65.3
10+¥58.7358
25+¥53.5392
50+¥49.8468
100+¥48.2742
250+¥44.0348
500+¥40.2057
1000+¥34.0517
2500+¥32.2739
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:460
1+¥70.0596
10+¥63.0396
25+¥57.4335
100+¥51.8315
250+¥47.6288
500+¥43.4262
最小起订量:1
美国费城
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#3

数量:41391
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

1N5615US产品详细规格

规格书 1N5615US datasheet 规格书
1N5615US datasheet 规格书
1N56xxUS
包装 2A-MELF
类型 Switching Diode
配置 Single
峰值反向重复电压 200 V
峰值平均正向电流 1@Ta=55C A
峰值反向恢复时间 150 ns
峰值反向电流 0.5 uA
峰值正向电压 1.6@3A V
峰值不重复浪涌电流 30 A
工作温度 -65 to 175 °C
安装 Surface Mount
抗辐射 Yes
标准包装 Bulk
供应商封装形式 A-MELF
标准包装名称 A-MELF
峰值反向恢复时间 150
最高工作温度 175
最大连续正向电流 1@Ta=55C
包装高度 2.62(Max)
工作结温度 -65 to 175
峰值反向重复电压 200
峰值反向电流 0.5
峰值不重复浪涌电流 30
包装宽度 2.62(Max)
峰值正向电压 1.6@3A
PCB 2
包装长度 5.08(Max)
最低工作温度 -65
引脚数 2
封装 *
电流 - Vr时反向漏电 500nA @ 200V
安装类型 *
电压 - 正向(Vf) (最大) 1.6V @ 3A
电压 - ( Vr)(最大) 200V
热阻 13°C/W Jl
电容@ Vr ,F 45pF @ 12V, 1MHz
供应商设备封装 *
反向恢复时间(trr ) 150ns
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C
电流 - 平均整流(Io ) 1A
封装/外壳 *
速度 Fast Recovery = 200mA (Io)
二极管类型 Standard
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
工作温度范围 -65C to 175C
包装类型 A-MELF
工作温度分类 Military
弧度硬化 Yes
整流器类型 Switching Diode
峰值不重复浪涌电流(最大) 30
高峰代表冯电压 200
冯页次 0.5
冯RECOV时间 150
正向电压 1.6
平均。 1
删除 Not Compliant

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