规格书 |
PSMN8R5-100XSQ |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 49A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8.5 mOhm @ 10A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 100nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 5512pF @ 50V |
功率 - 最大 | 55W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 绝缘的 Tab |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装材料 | Tube |
动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16405?mpart=PSMN8R5-100XSQ&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 49A (Tj) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 1mA |
封装/外壳 | TO-220-3 Isolated Tab |
供应商设备封装 | TO-220F |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 8.5 mOhm @ 10A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 55W |
标准包装 | 50 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 5512pF @ 50V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 100nC @ 10V |
安装风格 | Through Hole |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 49 A |
RDS(ON) | 22.6 mOhms |
功率耗散 | 55 W |
下降时间 | 40 ns |
典型关闭延迟时间 | 83 ns |
上升时间 | 30 ns |
漏源击穿电压 | 100 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 100 nC |
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