图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 PSMN023-40YLC |
| 标准包装 | 1,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 24A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 23 mOhm @ 5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.95V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 8.4nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 520pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 25W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| 供应商器件封装 | LFPAK, Power-SO8 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16146?mpart=PSMN023-40YLCX&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 24A (Tmb) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.95V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 23 mOhm @ 5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 25W |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 520pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8.4nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| 其他名称 | 568-10157-1 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 24 A |
| RDS（ON） | 26 mOhms |
| 功率耗散 | 25 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | LFPAK-4 |
| 栅极电荷Qg | 4.3 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 9.9 ns |
| 上升时间 | 3.8 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 3.1 ns |
PSMN023-40YLCX也可以通过以下分类找到
PSMN023-40YLCX相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
