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厂商型号

PSMN013-30MLC,115 

产品描述

MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33

内部编号

229-PSMN013-30MLC-115

生产厂商

NXP Semiconductors

nxp

#1

数量:2503
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PSMN013-30MLC,115产品详细规格

规格书 PSMN013-30MLC,115 datasheet 规格书
PSMN013-30MLC
标准包装 1,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 39A
Rds(最大)@ ID,VGS 13.6 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.95V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 8nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 519pF @ 15V
功率 - 最大 38W
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
供应商器件封装 LFPAK33
包装材料 Tape & Reel (TR)
动态目录 N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16146?mpart=PSMN013-30MLC,115&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 39A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.95V @ 1mA
供应商设备封装 LFPAK33
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 13.6 mOhm @ 10A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 38W
标准包装 1,500
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 519pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 8nC @ 10V
封装/外壳 SOT1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
其他名称 568-9571-1
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1500
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 1.95 V
连续漏极电流 39 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 16.9 mOhms
功率耗散 38 W
封装/外壳 LFPAK33
漏源击穿电压 27 V
RoHS RoHS Compliant
kits NXPMOSFET-DESIGNKIT

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