图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 5.8nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 410pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3TO-236AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 5.9 A |
| RDS -于 | 37@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | 12 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 15 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 典型下降时间 | 12 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | 12 |
| 包装宽度 | 1.4(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 37@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-236AB |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 3(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 5.9 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.9A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 410pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 5.8nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 568-2354-1 |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 3mm |
| 最大漏源电阻 | 0.037 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-236AB |
| 典型栅极电荷@ VGS | 5.8 nC V @ 4.5 |
| 典型输入电容@ VDS | 410 pF V @ 20 |
| 宽度 | 1.4mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 5.9 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 37 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 封装/外壳 | TO-236AB |
| 零件号别名 | PMV31XN T/R |
| 上升时间 | 15 ns |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 12 ns |
| 栅源电压（最大值） | 12 V |
| 漏源导通电阻 | 0.037 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 20 V |
| 弧度硬化 | No |
| associated | PMV31XN 574601 631954 |
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