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厂商型号

PMPB20XPE,115 

产品描述

MOSFET P-CH 20V SGL SOT1220

内部编号

229-PMPB20XPE-115

生产厂商

NXP Semiconductors

nxp

#1

数量:1515000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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数量:1515000
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全场免运费 /报价不含任何销售税

PMPB20XPE,115产品详细规格

规格书 PMPB20XPE
PMPB20XPE,115 datasheet 规格书
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 10.3A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 900mV @ 250µA
封装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
供应商设备封装 6-DFN2020MD (2x2)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 23.5 mOhm @ 7.2A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.7W
标准包装 3,000
漏极至源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS 294pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 45nC @ 4.5V
其他名称 568-10817-1
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
配置 Single
晶体管极性 P-Channel
连续漏极电流 - 10.3 A
RDS(ON) 19 mOhms
功率耗散 12.5 W
最低工作温度 - 55 C
栅极电荷Qg 30 nC
典型关闭延迟时间 92 ns
上升时间 60 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 - 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 50 ns
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 10.3A (Ta)

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