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规格书 |
PMFPB6545UP |
文档 |
Multiple Devices 26/Dec/2012 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Diode (Isolated) |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 3.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 70 mOhm @ 1A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 6nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 380pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1.25W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 6-UDFN Exposed Pad |
供应商器件封装 | 6-HUSON |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±8 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 0.61(Max) |
安装 | Surface Mount |
最大功率耗散 | 1190 |
渠道类型 | P |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 70@4.5V |
最大漏源电压 | 20 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 2 |
供应商封装形式 | HUSON EP |
包装长度 | 2 |
PCB | 6 |
最大连续漏极电流 | 3.5 |
引脚数 | 6 |
铅形状 | No Lead |
FET特点 | Diode (Isolated) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 3.5A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1V @ 250µA |
封装/外壳 | 6-UDFN Exposed Pad |
供应商设备封装 | 6-HUSON (2X2) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 70 mOhm @ 1A, 4.5V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.25W |
标准包装 | 3,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 380pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 6nC @ 4.5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | 568-6532-1 |
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