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厂商型号

PMFPB6545UP,115 

产品描述

MOSFET FET-KY P-Channel 20V

内部编号

229-PMFPB6545UP-115

生产厂商

NXP Semiconductors

nxp

#1

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PMFPB6545UP,115产品详细规格

规格书 PMFPB6545UP,115 datasheet 规格书
PMFPB6545UP
文档 Multiple Devices 26/Dec/2012
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Diode (Isolated)
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 3.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 70 mOhm @ 1A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 6nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 380pF @ 10V
功率 - 最大 1.25W
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装 6-HUSON
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±8
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
包装高度 0.61(Max)
安装 Surface Mount
最大功率耗散 1190
渠道类型 P
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 70@4.5V
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
包装宽度 2
供应商封装形式 HUSON EP
包装长度 2
PCB 6
最大连续漏极电流 3.5
引脚数 6
铅形状 No Lead
FET特点 Diode (Isolated)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3.5A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 250µA
封装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
供应商设备封装 6-HUSON (2X2)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 70 mOhm @ 1A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.25W
标准包装 3,000
漏极至源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS 380pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 6nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 568-6532-1

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