图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:8478 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 PMDPB30XN |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 4A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 40 mOhm @ 3A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 900mV @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 21.7nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 660pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 490mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-UDFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON (2X2) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 900mV @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 6-HUSON (2X2) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 40 mOhm @ 3A, 4.5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 490mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 660pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 21.7nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 6-UDFN Exposed Pad |
| 其他名称 | 568-10756-1 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Dual |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 5.3 A |
| RDS（ON） | 30 mOhms |
| 功率耗散 | 8330 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | DFN2020-6 |
| 栅极电荷Qg | 14.4 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 4 ns |
| 上升时间 | 15 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 16 ns |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A |
PMDPB30XN,115也可以通过以下分类找到
PMDPB30XN,115相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
