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| 规格书 |
 PHB110NQ06LT |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 55V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 75A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 7 mOhm @ 25A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 45nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3960pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 75A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7 mOhm @ 25A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3960pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 45nC @ 5V |
| 连续漏极电流 | 75 A |
| 栅源电压（最大值） | 15 V |
| 功率耗散 | 200 W |
| 安装 | Through Hole |
| 漏源导通电阻 | 0.007 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 引脚数 | 3 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 55 V |
| 弧度硬化 | No |
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