规格书 |
PHD38N02LT |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 44.7A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 16 mOhm @ 25A, 5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 15.1nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 800pF @ 20V |
功率 - 最大 | 57.6W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3DPAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 20 V |
最大连续漏极电流 | 44.7 A |
RDS -于 | 16@5V mOhm |
最大门源电压 | ±12 V |
典型导通延迟时间 | 4 ns |
典型上升时间 | 12.5 ns |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
典型下降时间 | 23 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 44.7A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
供应商设备封装 | DPAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 16 mOhm @ 25A, 5V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 57.6W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 800pF @ 20V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 15.1nC @ 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 2500 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 12 V |
连续漏极电流 | 44.7 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 16 mOhms |
功率耗散 | 57.6 W |
最低工作温度 | - 55 C |
零件号别名 | /T3 PHD38N02LT |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 20 V |
RoHS | RoHS Compliant |
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