规格书 |
PHB,PHD,PHP34NQ10T |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 35A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 40 mOhm @ 17A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 40nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1704pF @ 25V |
功率 - 最大 | 136W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3DPAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 100 V |
最大连续漏极电流 | 35 A |
RDS -于 | 40@10V mOhm |
最大门源电压 | 20 V |
典型导通延迟时间 | 12 ns |
典型上升时间 | 55 ns |
典型关闭延迟时间 | 48 ns |
典型下降时间 | 38 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Surface Mount |
最大门源电压 | 20 |
包装宽度 | 6.22(Max) |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 136000 |
最大漏源电压 | 100 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 40@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | DPAK |
标准包装名称 | DPAK |
最高工作温度 | 175 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 6.73(Max) |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 2.38(Max) |
最大连续漏极电流 | 35 |
封装 | Tape and Reel |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 35A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 1mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
标准包装 | 2,500 |
供应商设备封装 | DPAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 40 mOhm @ 17A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 136W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1704pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 40nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
连续漏极电流 | 35 A |
栅源电压(最大值) | 20 V |
功率耗散 | 136 W |
漏源导通电阻 | 0.04 ohm |
工作温度范围 | -55C to 175C |
包装类型 | DPAK |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 100 V |
弧度硬化 | No |
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