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规格书 |
![]() Computing Appl Guide |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 100A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 3 mOhm @ 15A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.15V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 45.8nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2822pF @ 12V |
功率 - 最大 | 81W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SC-100, SOT-669 |
供应商器件封装 | LFPAK, Power-SO8 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 5LFPAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 30 V |
最大连续漏极电流 | 100 A |
RDS -于 | 3@10V mOhm |
最大门源电压 | 20 V |
典型导通延迟时间 | 34 ns |
典型上升时间 | 58 ns |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
典型下降时间 | 21 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 100A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.15V @ 1mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
供应商设备封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 3 mOhm @ 15A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 81W |
封装/外壳 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2822pF @ 12V |
其他名称 | 934063085115 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 45.8nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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