图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

PH3030AL,115 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

内部编号

229-PH3030AL-115

生产厂商

nxp semiconductors

nxp

#1

数量:190
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

PH3030AL,115产品详细规格

规格书 PH3030AL,115 datasheet 规格书
Computing Appl Guide
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 100A
Rds(最大)@ ID,VGS 3 mOhm @ 15A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.15V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 45.8nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2822pF @ 12V
功率 - 最大 81W
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-100, SOT-669
供应商器件封装 LFPAK, Power-SO8
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 5LFPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 100 A
RDS -于 3@10V mOhm
最大门源电压 20 V
典型导通延迟时间 34 ns
典型上升时间 58 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型下降时间 21 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 100A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.15V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 LFPAK56, Power-SO8
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 3 mOhm @ 15A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 81W
封装/外壳 SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
输入电容(Ciss ) @ VDS 2822pF @ 12V
其他名称 934063085115
闸电荷(Qg ) @ VGS 45.8nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

PH3030AL,115系列产品

PH3030AL,115也可以通过以下分类找到

PH3030AL,115相关搜索

订购PH3030AL,115.产品描述:Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R. 生产商: nxp semiconductors.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149008
    010-62155488
    010-82149921
    010-82149488
    010-57196138
  • 深圳
  • 0755-83247615
    0755-82511472
    0755-83997440
    0755-83975736
  • 苏州
  • 0512-67683728
    0512-67687578
    0512-68796728
    0512-67684200
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com