1. PDTC123TT,215
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厂商型号

PDTC123TT,215 

产品描述

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-236AB T/R

内部编号

229-PDTC123TT-215

生产厂商

nxp semiconductors

nxp

#1

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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PDTC123TT,215产品详细规格

规格书 PDTC123TT,215 datasheet 规格书
PDTC123TT,215 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 2.2k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 30 @ 20mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 150mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) 1µA
频率转换 -
功率 - 最大 250mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 TO-236AB
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3TO-236AB
配置 Single
类型 NPN
最大集电极发射极电压 50 V
峰值直流集电极电流 100 mA
最小直流电流增益 30@20mA@5V
工作温度 -65 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 TO-236AB
标准包装名称 SOT-23
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -65
Package Height 1(Max)
典型输入电阻 2.2
最大功率耗散 250
封装 Tape and Reel
Maximum Continuous DC Collector Current 100
最大集电极发射极饱和电压 0.15@0.5mA@10mA
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
Package Length 3(Max)
最大集电极发射极电压 50
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 2.2k
电流 - 集电极截止(最大) 1µA
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 150mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SOT-23-3
功率 - 最大 250mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 30 @ 20mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
产品种类 Transistors Switching - Resistor Biased
晶体管极性 NPN
典型输入电阻 2.2 KOhms
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
最低工作温度 - 65 C
零件号别名 PDTC123TT T/R
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
集电极 - 发射极电压 50 V
包装类型 TO-236AB
直流电流增益(最小值) 30
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
直流电流增益 30
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500µA, 10mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) 2.2k
电流 - 集电极截止(最大值) 1µA
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 30 @ 20mA, 5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
功率 - 最大值 250mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V

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