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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

PDTC115TK,115 

产品描述

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R

内部编号

229-PDTC115TK-115

生产厂商

nxp semiconductors

NXP

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

PDTC115TK,115产品详细规格

规格书 PDTC115TK,115 datasheet 规格书
PDTC115TK,115 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 100k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 1mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 150mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大) 1µA
频率转换 -
功率 - 最大 250mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SMT3
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SMT
配置 Single
类型 NPN
最大集电极发射极电压 50 V
峰值直流集电极电流 100 mA
最小直流电流增益 100@1mA@5V
工作温度 -65 to 150 °C
安装 Surface Mount
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 100k
电流 - 集电极截止(最大) 1µA
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 150mV @ 250µA, 5mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SMT3
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 250mW
标准包装 3,000
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 1mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 568-2146-1

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