1. PBSS2515VPN,115
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厂商型号

PBSS2515VPN,115 

产品描述

Trans GP BJT NPN/PNP 15V 0.5A 6-Pin SOT-666 T/R

内部编号

229-PBSS2515VPN-115

生产厂商

nxp semiconductors

nxp

#1

数量:50
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:53
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:4000
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新加坡
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PBSS2515VPN,115产品详细规格

规格书 PBSS2515VPN,115 datasheet 规格书
PBSS2515VPN,115 datasheet 规格书
文档 Resin Hardener 02/Jul/2013
特色产品
标准包装 4,000
晶体管类型 NPN, PNP
集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 15V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 150 @ 100mA, 2V
功率 - 最大 300mW
频率转换 420MHz, 280MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-563, SOT-666
供应商器件封装 SOT-666
包装材料 Tape & Reel (TR)
动态目录 NPN, PNP Transistor Arrays###/catalog/en/partgroup/npn-pnp-transistor-arrays/15583?mpart=PBSS2515VPN,115&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
包装 6SOT-666
类型 NPN|PNP
引脚数 6
最大集电极发射极电压 15 V
集电极最大直流电流 0.5 A
最小直流电流增益 200@10mA@2V|150@100mA@2V|90@500mA@2V
最大工作频率 420(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.025@0.5mA@10mA|0.15@10mA@200mA|0.25@50mA@500mA V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 200 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.5
最低工作温度 -65
Maximum Transition Frequency 420(Typ)
包装宽度 1.3(Max)
PCB 6
最大功率耗散 200
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 2
最大集电极基极电压 15
最大集电极发射极电压 15
供应商封装形式 SOT-666
标准包装名称 SOT-666
最高工作温度 150
包装长度 1.7(Max)
包装高度 0.6(Max)
最大基地发射极电压 6
封装 Tape and Reel
铅形状 Flat
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN, PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 420MHz, 280MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 15V
供应商设备封装 SOT-666
功率 - 最大 300mW
封装/外壳 SOT-563, SOT-666
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 150 @ 100mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 568-7262-1
工厂包装数量 4000
增益带宽产品fT 420 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN/PNP
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
直流集电极/增益hfe最小值 200 at 10 mA at 2 V, 150 at 100 mA at 2 V, 90 at 500 mA at 2 V
直流电流增益hFE最大值 200 at 10 mA at 2 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 15 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 15 V
最低工作温度 - 65 C
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
零件号别名 PBSS2515VPN T/R
RoHS RoHS Compliant
频率 - 跃迁 420MHz, 280MHz
供应商器件封装 SOT-666
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 50mA, 500mA
晶体管类型 NPN, PNP
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 150 @ 100mA, 2V
封装/外壳 SOT-563, SOT-666
功率 - 最大值 300mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 15V

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