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文档 |
Resin Hardener 02/Jul/2013 |
特色产品 | |
标准包装 | 4,000 |
晶体管类型 | NPN, PNP |
集电极电流(Ic)(最大) | 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 15V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 250mV @ 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 150 @ 100mA, 2V |
功率 - 最大 | 300mW |
频率转换 | 420MHz, 280MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SOT-563, SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-666 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | NPN, PNP Transistor Arrays###/catalog/en/partgroup/npn-pnp-transistor-arrays/15583?mpart=PBSS2515VPN,115&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
包装 | 6SOT-666 |
类型 | NPN|PNP |
引脚数 | 6 |
最大集电极发射极电压 | 15 V |
集电极最大直流电流 | 0.5 A |
最小直流电流增益 | 200@10mA@2V|150@100mA@2V|90@500mA@2V |
最大工作频率 | 420(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.025@0.5mA@10mA|0.15@10mA@200mA|0.25@50mA@500mA V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 200 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
集电极最大直流电流 | 0.5 |
最低工作温度 | -65 |
Maximum Transition Frequency | 420(Typ) |
包装宽度 | 1.3(Max) |
PCB | 6 |
最大功率耗散 | 200 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 2 |
最大集电极基极电压 | 15 |
最大集电极发射极电压 | 15 |
供应商封装形式 | SOT-666 |
标准包装名称 | SOT-666 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 1.7(Max) |
包装高度 | 0.6(Max) |
最大基地发射极电压 | 6 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Flat |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 500mA |
晶体管类型 | NPN, PNP |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 420MHz, 280MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 250mV @ 50mA, 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 15V |
供应商设备封装 | SOT-666 |
功率 - 最大 | 300mW |
封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 150 @ 100mA, 2V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | 568-7262-1 |
工厂包装数量 | 4000 |
增益带宽产品fT | 420 MHz |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | NPN/PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 200 at 10 mA at 2 V, 150 at 100 mA at 2 V, 90 at 500 mA at 2 V |
直流电流增益hFE最大值 | 200 at 10 mA at 2 V |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 15 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | 15 V |
最低工作温度 | - 65 C |
配置 | Dual |
最高工作温度 | + 150 C |
零件号别名 | PBSS2515VPN T/R |
RoHS | RoHS Compliant |
频率 - 跃迁 | 420MHz, 280MHz |
供应商器件封装 | SOT-666 |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 250mV @ 50mA, 500mA |
晶体管类型 | NPN, PNP |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 150 @ 100mA, 2V |
封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
功率 - 最大值 | 300mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 15V |
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