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厂商型号

BUK9604-40A,118 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 40V 198A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

内部编号

229-BUK9604-40A-118

生产厂商

nxp semiconductors

nxp

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美国加州
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BUK9604-40A,118产品详细规格

规格书 BUK9604-40A,118 datasheet 规格书
BUK9604-40A,118 datasheet 规格书
BUK(95,96,9E)04-40A
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 800
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 40V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 75A
Rds(最大)@ ID,VGS 4 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 128nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 8260pF @ 25V
功率 - 最大 300W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 40 V
最大连续漏极电流 198 A
RDS -于 4@10V mOhm
最大门源电压 15 V
典型导通延迟时间 62 ns
典型上升时间 309 ns
典型关闭延迟时间 365 ns
典型下降时间 306 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 75A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 40V
供应商设备封装 D2PAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 4 mOhm @ 25A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 300W
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容(Ciss ) @ VDS 8260pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 128nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 800
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 15 V
连续漏极电流 198 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 4 mOhms
功率耗散 300 W
最低工作温度 - 55 C
零件号别名 /T3 BUK9604-40A
上升时间 309 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 40 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 306 ns

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