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厂商型号

BUK9518-55A,127 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 55V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

内部编号

229-BUK9518-55A-127

生产厂商

nxp semiconductors

nxp

#1

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BUK9518-55A,127产品详细规格

规格书 BUK9518-55A,127 datasheet 规格书
BUK9518-55A,127 datasheet 规格书
BUK(9518,9618)-55A
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 55V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 61A
Rds(最大)@ ID,VGS 16 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 34nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2210pF @ 25V
功率 - 最大 136W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
包装 3TO-220AB
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 55 V
最大连续漏极电流 61 A
RDS -于 16@10V mOhm
最大门源电压 15 V
典型导通延迟时间 21 ns
典型上升时间 126 ns
典型关闭延迟时间 95 ns
典型下降时间 97 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 61A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 55V
供应商设备封装 TO-220AB
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 16 mOhm @ 25A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 136W
输入电容(Ciss ) @ VDS 2210pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 34nC @ 5V
封装/外壳 TO-220-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 15 V
连续漏极电流 61 A
安装风格 Through Hole
RDS(ON) 16 mOhms
功率耗散 136 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TO-220-3
零件号别名 BUK9518-55A
上升时间 126 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 55 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 97 ns
栅源电压(最大值) 15 V
漏源导通电阻 0.016 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 TO-220AB
引脚数 3 +Tab
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 55 V
弧度硬化 No

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