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厂商型号

BUK9275-100A,118 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 100V 21.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

内部编号

229-BUK9275-100A-118

生产厂商

nxp semiconductors

nxp

#1

数量:7500
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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#3

数量:8456
最小起订量:1
美国费城
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BUK9275-100A,118产品详细规格

规格书 BUK9275-100A,118 datasheet 规格书
BUK9275-100A,118 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 21.7A
Rds(最大)@ ID,VGS 72 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 1690pF @ 25V
功率 - 最大 88W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 100 V
最大连续漏极电流 21.7 A
RDS -于 72@10V mOhm
最大门源电压 ±10 V
典型导通延迟时间 13 ns
典型上升时间 120 ns
典型关闭延迟时间 58 ns
典型下降时间 57 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±10
包装宽度 6.22(Max)
PCB 2
最大功率耗散 88000
最大漏源电压 100
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 72@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 6.73(Max)
引脚数 3
包装高度 2.38(Max)
最大连续漏极电流 21.7
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 21.7A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 100V
供应商设备封装 DPAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 72 mOhm @ 10A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 88W
输入电容(Ciss ) @ VDS 1690pF @ 25V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 568-9672-1
工厂包装数量 2500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 10 V
连续漏极电流 21.7 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 72 mOhms
功率耗散 88 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOT-428
零件号别名 /T3 BUK9275-100A
上升时间 120 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 100 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 57 ns
栅源电压(最大值) �10 V
漏源导通电阻 0.072 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 DPAK
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 100 V
弧度硬化 No

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