规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
2,500 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
21.7A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
72 mOhm @ 10A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
2V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
- |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
1690pF @ 25V |
功率 - 最大 |
88W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 |
D-Pak |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
3DPAK |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
100 V |
最大连续漏极电流 |
21.7 A |
RDS -于 |
72@10V mOhm |
最大门源电压 |
±10 V |
典型导通延迟时间 |
13 ns |
典型上升时间 |
120 ns |
典型关闭延迟时间 |
58 ns |
典型下降时间 |
57 ns |
工作温度 |
-55 to 175 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
最大门源电压 |
±10 |
包装宽度 |
6.22(Max) |
PCB |
2 |
最大功率耗散 |
88000 |
最大漏源电压 |
100 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最大漏源电阻 |
72@10V |
每个芯片的元件数 |
1 |
最低工作温度 |
-55 |
供应商封装形式 |
DPAK |
标准包装名称 |
DPAK |
最高工作温度 |
175 |
渠道类型 |
N |
包装长度 |
6.73(Max) |
引脚数 |
3 |
包装高度 |
2.38(Max) |
最大连续漏极电流 |
21.7 |
封装 |
Tape and Reel |
标签 |
Tab |
铅形状 |
Gull-wing |
FET特点 |
Logic Level Gate |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
21.7A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
2V @ 1mA |
漏极至源极电压(Vdss) |
100V |
供应商设备封装 |
DPAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
72 mOhm @ 10A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
88W |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
1690pF @ 25V |
封装/外壳 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 |
568-9672-1 |
工厂包装数量 |
2500 |
产品种类 |
MOSFET |
晶体管极性 |
N-Channel |
配置 |
Single |
源极击穿电压 |
+/- 10 V |
连续漏极电流 |
21.7 A |
安装风格 |
SMD/SMT |
RDS(ON) |
72 mOhms |
功率耗散 |
88 W |
最低工作温度 |
- 55 C |
封装/外壳 |
SOT-428 |
零件号别名 |
/T3 BUK9275-100A |
上升时间 |
120 ns |
最高工作温度 |
+ 175 C |
漏源击穿电压 |
100 V |
RoHS |
RoHS Compliant |
下降时间 |
57 ns |
栅源电压(最大值) |
�10 V |
漏源导通电阻 |
0.072 ohm |
工作温度范围 |
-55C to 175C |
包装类型 |
DPAK |
极性 |
N |
类型 |
Power MOSFET |
元件数 |
1 |
工作温度分类 |
Military |
漏源导通电压 |
100 V |
弧度硬化 |
No |