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厂商型号

BLF8G10LS-160V,112 

产品描述

Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM T/R

内部编号

229-BLF8G10LS-160V-112

生产厂商

NXP Semiconductors

nxp

#1

数量:0
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美国加州
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BLF8G10LS-160V,112产品详细规格

规格书 BLF8G10LS-160V,112 datasheet 规格书
BLF8G10L(S)-160
BLF8G10LS-160V,112 datasheet 规格书
供应商封装形式 CDFM
最大频率 960
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 200
通道模式 Enhancement
输出功率 35(Typ)
包装高度 4.75(Max)
安装 Surface Mount
Typical Drain Efficiency 29
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 151@6.05V
每个芯片的元件数 1
包装宽度 9.91(Max)
典型功率增益 20
PCB 7
包装长度 20.7(Max)
最低工作温度 -65
最大漏源电压 65
引脚数 7
系列 *
标准包装 20
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 20
源极击穿电压 13 V
安装风格 SMD/SMT
频率 920 MHz to 960 MHz
输出功率 160 W
增益 19.7 dB
封装/外壳 SOT-502B
漏源击穿电压 65 V
RoHS RoHS Compliant

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