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| 规格书 |
 BLF884P(S) |
| 文档 |
AN10896 App Note RF Products Appl/Design Manual RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| 晶体管类型 | LDMOS (Dual) |
| 频率 | 860MHz |
| 增益 | 21dB |
| 电压 - 测试 | 50V |
| 额定电流 | - |
| 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 650mA |
| Power - 输出功率 | 150W |
| 电压 - 额定 | 104V |
| 包/盒 | SOT-1121B |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 包装材料 | Bulk |
| 供应商封装形式 | CDFM |
| 最大频率 | 860 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 输出功率 | 150(Min) |
| 包装高度 | 4.75(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 典型功率增益 | 21 |
| Typical Drain Efficiency | 46 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Bulk |
| 最大漏源电阻 | 240(Typ)@6.15V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 包装宽度 | 9.91(Max) |
| 典型输入电容@ VDS | 105@50V |
| PCB | 5 |
| 包装长度 | 20.7(Max) |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 104 |
| 引脚数 | 5 |
| 晶体管类型 | LDMOS (Dual) |
| 电压 - 额定 | 104V |
| 标准包装 | 20 |
| 供应商设备封装 | CDFM4 |
| 电压 - 测试 | 50V |
| 频率 | 860MHz |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121B |
| 电流 - 测试 | 650mA |
| 功率 - 输出 | 150W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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