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厂商型号

BLF7G22L-100P,112 

产品描述

Transistors RF MOSFET Power Pwr LDMOS transistor transistor

内部编号

229-BLF7G22L-100P-112

生产厂商

NXP Semiconductors

NXP

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BLF7G22L-100P,112产品详细规格

规格书 BLF7G22L-100P,112 datasheet 规格书
BLF7G22L(S)-100P
供应商封装形式 CDFM
标准包装名称 CDFM
最大频率 2170
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
输出功率 20(Typ)
包装高度 4.75(Max)
安装 Screw
Typical Drain Efficiency 28
渠道类型 N
封装 Bulk
最大漏源电阻 240(Typ)@6.05V
每个芯片的元件数 2
包装宽度 9.91(Max)
典型功率增益 18
PCB 5
包装长度 34.16(Max)
最低工作温度 -65
最大漏源电压 65
引脚数 5
系列 *
标准包装 20
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 20
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 13 V
连续漏极电流 12.3 A
安装风格 SMD/SMT
频率 2 GHz to 2.2 GHz
输出功率 20 W
增益 19.1 dB
封装/外壳 SOT-1121A
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 65 V
RoHS RoHS Compliant

BLF7G22L-100P,112系列产品

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