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厂商型号

BLF7G21LS-160,112 

产品描述

Transistors RF MOSFET Power Pwr LDMOS transistor transistor

内部编号

229-BLF7G21LS-160-112

生产厂商

NXP Semiconductors

nxp

#1

数量:0
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美国加州
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BLF7G21LS-160,112产品详细规格

规格书 BLF7G21LS-160,112 datasheet 规格书
BLF7G21LS-160
供应商封装形式 CDFM
最大频率 2050
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 200
通道模式 Enhancement
输出功率 50(Typ)
包装高度 4.75(Max)
安装 Surface Mount
Typical Drain Efficiency 34
渠道类型 N
封装 Bulk
最大漏源电阻 80(Typ)@6.05V
每个芯片的元件数 2
包装宽度 9.91(Max)
典型功率增益 18
PCB 5
包装长度 20.7(Max)
最低工作温度 -65
最大漏源电压 65
引脚数 5
系列 *
标准包装 20
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 20
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 13 V
连续漏极电流 32.5 A
安装风格 SMD/SMT
频率 1.8 GHz to 2.05 GHz
输出功率 50 W
增益 18 dB
封装/外壳 SOT-1121B
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 65 V
RoHS RoHS Compliant

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