图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BF1109(R,WR) |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | N-Channel Dual Gate |
| 频率 | 800MHz |
| 增益 | 20dB |
| 电压 - Test | 9V |
| 当前 Rating | 30mA |
| 噪声系数 | 1.5dB |
| 当前 - Test | - |
| Power - 输出功率 | - |
| 电压 - 额定 | 11V |
| 包/盒 | SOT-143R |
| 供应商器件封装 | SOT-143R |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 1.4(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 200 |
| 最大漏源电压 | 11 |
| 最大频率 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 典型功率增益 | 38 |
| 供应商封装形式 | SOT-143R |
| 标准包装名称 | SOT-143R |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 典型输入电容@ VDS | 2.2@9V@Gate 1|1.5@9V@Gate 2 |
| 包装长度 | 3(Max) |
| 引脚数 | 4 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 0.03 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 晶体管类型 | N-Channel Dual Gate |
| 电压 - 额定 | 11V |
| 噪声系数 | 1.5dB |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | SOT-143R |
| 电压 - 测试 | 9V |
| 频率 | 800MHz |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | SOT-143R |
| 额定电流 | 30mA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 568-6148-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | Dual N-Channel |
| 连续漏极电流 | 30 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 配置 | Dual |
| 漏源击穿电压 | 11 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 噪声系数 | 1.5dB |
| 晶体管类型 | N-Channel Dual Gate |
| 电压 - 测试 | 9V |
| 增益 | 20dB |
| 额定电流 | 30mA |
| 封装/外壳 | SOT-143R |
| 频率 | 800MHz |
| 电压 - 额定 | 11V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 11 V, 11 V |
| 类型 | RF Small Signal MOSFET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| Id - Continuous Drain Current | 30 mA, 30 mA |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 11 V, 11 V |
| 技术 | Si |
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