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| 规格书 |
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| 文档 |
Multiple Devices 26/Dec/2012 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | N-Channel Dual Gate |
| 频率 | 800MHz |
| 增益 | - |
| 电压 - 测试 | 5V |
| 额定电流 | 40mA |
| 噪声系数 | 2dB |
| 电流 - 测试 | 15mA |
| Power - 输出功率 | - |
| 电压 - 额定 | 7V |
| 包/盒 | SC-82A, SOT-343 |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 供应商封装形式 | CMPAK |
| 标准包装名称 | CMPAK |
| 欧盟RoHS指令 | Supplier Unconfirmed |
| 包装宽度 | 1.35(Max) |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 标签 | Tab |
| PCB | 3 |
| 包装长度 | 2.2(Max) |
| 引脚数 | 4 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 晶体管类型 | N-Channel Dual Gate |
| 电压 - 额定 | 7V |
| 噪声系数 | 2dB |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | CMPAK-4 |
| 电压 - 测试 | 5V |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 频率 | 800MHz |
| 封装/外壳 | SC-82A, SOT-343 |
| 电流 - 测试 | 15mA |
| 额定电流 | 40mA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | RF MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Dual Gate, Single |
| 外形尺寸 | 2.2 x 1.35 x 0.9mm |
| 身高 | 0.9mm |
| 长度 | 2.2mm |
| 最大连续漏极电流 | 0.04 A |
| 最大漏源电压 | 7 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.28 W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | SOT-343R |
| 典型输入电容@ VDS | 2.3 pF @ 5 V (Gate 2), 3.6 pF @ 5 V (Gate 1) |
| 宽度 | 1.35mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | Dual N-Channel |
| 源极击穿电压 | 15 V |
| 连续漏极电流 | 20 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 零件号别名 | BF909AWR T/R |
| 漏源击穿电压 | 15 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 7 V, 7 V |
| 技术 | Si |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| Id - Continuous Drain Current | 40 mA, 40 mA |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 15 V, 15 V |
| 类型 | RF Small Signal MOSFET |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V, 1.2 V |
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