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厂商型号:

BF909AWR,115

芯天下内部编号:
229-BF909AWR-115
生产厂商:

NXP Semiconductors

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
供应商封装形式 CMPAK
标准包装名称 CMPAK
欧盟RoHS指令 Supplier Unconfirmed
包装宽度 1.35(Max)
包装高度 1(Max)
安装 Surface Mount
标签 Tab
PCB 3
包装长度 2.2(Max)
引脚数 4
铅形状 Gull-wing
晶体管类型 N-Channel Dual Gate
电压 - 额定 7V
噪声系数 2dB
标准包装 3,000
供应商设备封装 CMPAK-4
电压 - 测试 5V
封装 Tape & Reel (TR)
频率 800MHz
封装/外壳 SC-82A, SOT-343
电流 - 测试 15mA
额定电流 40mA
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 RF MOSFET
通道模式 Enhancement
渠道类型 N
配置 Dual Gate, Single
外形尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm
身高 0.9mm
长度 2.2mm
最大连续漏极电流 0.04 A
最大漏源电压 7 V
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 0.28 W
安装类型 Surface Mount
每个芯片的元件数 1
包装类型 SOT-343R
典型输入电容@ VDS 2.3 pF @ 5 V (Gate 2), 3.6 pF @ 5 V (Gate 1)
宽度 1.35mm
工厂包装数量 3000
产品种类 Transistors RF MOSFET
晶体管极性 Dual N-Channel
源极击穿电压 15 V
连续漏极电流 20 mA
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 200 mW
零件号别名 BF909AWR T/R
漏源击穿电压 15 V
RoHS RoHS Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 7 V, 7 V
技术 Si
品牌 NXP Semiconductors
Id - Continuous Drain Current 40 mA, 40 mA
Pd - Power Dissipation 200 mW
Vgs - Gate-Source Voltage 15 V, 15 V
类型 RF Small Signal MOSFET
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V, 1.2 V

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