规格书 |
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文档 |
WP3DP3BT.stp WP3DP3BT.pro WP3DP3BT.igs WP3DP3BT.sldprt |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 30V |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 0.5mA |
电流 - 暗(ID)(最大值) | 100nA |
波长 | - |
可视角度 | - |
功率 - 最大 | 100mW |
安装类型 | Through Hole |
取向 | Top View |
包/盒 | Radial |
产品种类 | Phototransistors |
RoHS | RoHS Compliant |
最大功率耗散 | 100 mW |
封装/外壳 | T-1 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
集电极 - 发射极击穿电压 | 30 V |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.8 V |
下降时间 | 15 us |
最高工作温度 | + 85 C |
最低工作温度 | - 40 C |
产品 | Phototransistors |
上升时间 | 15 us |
工厂包装数量 | 1000 |
波长 | 940 nm |
子类别 | Phototransistor |
封装 | Bag |
交货期 | 56 Days |
电流 - 暗( Id)(最大) | 100nA |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 0.5mA |
定位 | Top View |
安装类型 | Through Hole |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 30V |
功率 - 最大 | 100mW |
标准包装 | 1,000 |
其他名称 | 754-1468 |
封装/外壳 | Radial |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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