#1 |
数量:1350 |
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最小起订量:1 英国伦敦 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:2203 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:2199 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
![]() SMDJ Series ![]() ![]() |
Rohs | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
电压 - 反向隔离(典型值) | 51V |
- 击穿电压 | 56.7V |
功率(瓦特) | 3000W |
极化 | Bidirectional |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | DO-214AB, SMC |
供应商器件封装 | SMC |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
方向类型 | Bi-Directional |
安装 | Surface Mount |
最大钳位电压 | 82.4 |
Maximum Reverse Stand-Off Voltage | 51 |
包装宽度 | 6.22(Max) |
PCB | 2 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -65 |
峰值脉冲功率耗散 | 3000 |
供应商封装形式 | DO-214AB |
标准包装名称 | DO-214-AB |
最高工作温度 | 150 |
ESD保护 | Yes |
最大反向漏泄电流 | 2 |
最大峰值脉冲电流 | 36.4 |
包装长度 | 7.11(Max) |
工作结温度 | -65 to 150 |
测试电流 | 1 |
引脚数 | 2 |
包装高度 | 2.42(Max) |
封装 | Tape and Reel |
最小击穿电压 | 56.7 |
铅形状 | J-Lead |
单位包 | 3000 |
最小起订量 | 3000 |
电压 - 钳位(最大) @ IPP | 82.4V |
安装类型 | Surface Mount |
双向通道数 | 1 |
供应商设备封装 | SMC |
电压 - 击穿(最小值) | 56.7V |
电压 - 反向隔离(标准值) | 51V |
应用范围 | Telecom |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
标准包装 | 3,000 |
电源线保护 | No |
功率 - 峰值脉冲 | 3000W (3kW) |
类型 | Zener |
电流 - 峰值脉冲( 10/1000μS ) | 36.4A |
封装/外壳 | DO-214AB, SMC |
RoHS指令 | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
极性 | Bidirectional |
钳位电压 | 82.4 V |
产品种类 | TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors |
外形尺寸 | 6.22 mm W x 8.13 mm L x 2.62 mm H |
工厂包装数量 | 3000 |
系列 | SMDJ |
端接类型 | SMD/SMT |
通道 | 1 Channel |
工作电压 | 51 V |
击穿电压 | 56.7 V |
RoHS | RoHS Compliant |
最低工作温度 | - 65 C |
封装/外壳 | DO-214AB |
峰值浪涌电流 | 36.4 A |
最高工作温度 | + 150 C |
峰值脉冲功率耗散 | 3000 W |
漏电流(最大) | 0.002 uA |
工作温度范围 | -65C to 150C |
包装类型 | DO-214AB |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
反向击穿电压 | 56.7 V |
峰值脉冲电流 | 36.4 A |
反向断态电压 | 51 V |
测试电流(It ) | 1 mA |
弧度硬化 | No |
TVS Polarity | :Bidirectional |
Reverse Stand-Off Voltage Vrwm | :51V |
Breakdown Voltage Min | :56.7V |
Breakdown Voltage Max | :62.7V |
Clamping Voltage Vc Max | :82.4V |
Peak Pulse Current Ippm | :36.4A |
Diode Case Style | :DO-214AB |
No. of Pins | :2 |
功耗 | :3kW |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Breakdown Voltage Range | :56.7V to 62.7V |
二极管配置 | :Bidirectional |
Weight (kg) | 0.00021 |
Tariff No. | 85411000 |
案例 | DO214AB |
Semiconductor structure | bidirectional |
功率 | 3kW |
Multiplicity | 3000 |
Gross weight | 0.43 g |
Breakdown voltage | 51V |
漏电流 | 2µA |
Diode type | transil |
Max forward impulse current | 36.4A |
Collective package [pcs] | 3000 |
spg | 3000 |
kits | 4879279 |
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